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CoolSiC
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英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、及應用
英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、...
英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進的溝槽半導體工藝，經過優化，可實現應用中最低的損耗和最高的運行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級，導通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術可實現靈活的參數設置......
英飛凌 Cool... 碳化硅M...
2024-04-19
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，實現更低的能量損耗，從而在功率轉換過程中轉化為更高的效率。英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet為各種功率半導體應用提供了優勢，如光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源。配備CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站的功率損耗比前幾代產品減少了......
英飛凌 Cool...
2024-04-18
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英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術 200V CoolSiC G2 MOSFET
英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術 200V CoolSiC G2 MOSF...
　　與上一代產品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉換過程中的能量損耗并提高效率。　　　　CoolSiC G2 對硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵品質因數進行了改進。這些器件的快速......
英飛凌 MOSF... Cool...
2024-03-11
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的電力電子應用解決方案。英飛凌G2 mosfet在25°C時的額定電壓為1200V，在+100°C時的I(DDC)為6.2A，在18V柵源電壓時的R(DS(on))為233.9毫歐。這些mosfet具有優異的電氣特性和極低的開關損耗，能夠實現高效的工作。mosfet專為過載條......
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2024-03-05
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英飛凌CoolSiC汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet雙向車載充電器的介紹、特性、及應用
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英飛凌凌CoolSiC 汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet可幫助電動汽車制造商打造11kW和22kW雙向車載充電器，提高效率、功率密度和可靠性。這些器件在高溫(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飛凌的專有技術。XT模具貼附技術，在同等尺寸的模具上實現最佳的熱阻抗。CoolSiC 750V G1技術提供非常高的魯......
英飛凌 Cool... 車載充電...
2024-01-25
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英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet的介紹、特性、及應用
英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet的介紹、特性、...
英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒狀產品組合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封裝的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范圍為8.7毫歐至160毫歐， ID為+25°C，最大17A至205A。高功率......
英飛凌 Cool... MOSF...
2024-01-22
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英飛凌科技1200V CoolSiC M1H模塊FF4MR12W2M1H的介紹、特性、及應用
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英飛凌科技1200V CoolSiC M1H模塊為電動汽車充電和其他逆變器設計人員提供了前所未有的效率和功率密度水平。當碳化硅(SiC)半導體用作開關時，在保持高可靠性的同時，允許更高的工作溫度和開關頻率，從而提高了整個系統的效率。英飛凌的1200V SiC MOSFET模塊系列提供卓越的柵極氧化物可靠性，這得益于其最先進的溝槽設計。這些......
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2023-12-07
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功率轉換器中CoolSiC MOSFET技術解析
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在功率轉換器中，CoolSiC? MOSFET技術是一項重要的創新，它基于碳化硅（SiC）這一寬禁帶半導體材料，為電力電子領域帶來了顯著的性能提升。以下是對CoolSiC? MOSFET技術的詳細解析：一、技術背景與優勢1. 材料特性SiC材料的帶隙寬度約為硅的3倍，這使得其臨界場強約是硅的10倍。因此，SiC器件能夠在更高的電壓下工作，......
功率轉換... 低導通電... 集成二極...
2021-09-22
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在雙向逆變器應用中采用 CoolSiC TM MOSFET 的優勢
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在雙向逆變器應用中采用CoolSiC? MOSFET的優勢主要體現在以下幾個方面：一、提升效率降低損耗：CoolSiC? MOSFET具有更低的開關損耗和導通損耗，這得益于其優異的開關性能和低導通電阻。在雙向逆變器中，這種低損耗特性能夠顯著提升能量轉換效率，減少能源浪費。高反向恢復電荷性能：與硅MOSFET相比，CoolSiC? MOSF......
雙向功率... 無芯變壓... 柵極驅動...
2021-09-18
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英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供優異效率
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英飛凌推出的全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，以其出色的性能和效率，在電力電子領域引起了廣泛關注。以下是對該系列產品的詳細分析：一、產品概述英飛凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）作為全球領先的半導體科技公司，近期推出了650 V CoolSiC Hybrid IGBT單......
肖特基二... 不間斷電... DC-D...
2021-08-11
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英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，助力提升功率密度和實現更緊湊的設計
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英飛凌推出的采用高性能AIN（氮化鋁）陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，在提升功率密度和實現更緊湊的設計方面發揮了重要作用。以下是對該產品的詳細分析：一、產品背景與特點升級材料：英飛凌將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN）陶瓷，這種材料具有出色的熱導性能，有助于提升模塊......
太陽能系... 導通電阻 散熱器
2021-08-10
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新型車用650 V CoolSiC?混合分立器件助力快速開關車載充電器應用實現性能提升
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新型車用650V CoolSiC?混合分立器件在快速開關車載充電器（OBC）應用中確實實現了顯著的性能提升。以下是對該器件及其性能提升的詳細分析：一、器件概述新型車用650V CoolSiC?混合分立器件由英飛凌科技公司推出，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 5快速開關IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和一個CoolSiC肖特基二......
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2021-04-09
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Fronius太陽能逆變器選擇英飛凌CoolSiC技術
Fronius太陽能逆變器選擇英飛凌CoolSiC技術
Fronius太陽能逆變器選擇英飛凌CoolSiC技術，這一決策體現了雙方在高效能源轉換技術領域的深入合作。以下是關于這一選擇的詳細分析：一、技術背景Fronius太陽能逆變器：Fronius公司是一家在太陽能逆變器領域具有顯著影響力的企業。其推出的Symo GEN24 Plus太陽能逆變器采用了先進的技術，旨在提高能源轉換效率和系統可靠......
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2020-12-08
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