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碳化硅MOSFET
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碳化硅MOSFET有什么應用場景？
碳化硅MOSFET有什么應用場景？
碳化硅MOSFET憑借其高溫耐受、高耐壓、低損耗、高開關速度等優(yōu)勢，在多個對效率、功率密度和可靠性要求較高的領域具有廣泛應用。以下是其典型應用場景及具體分析：一、電動汽車與充電樁電機控制器優(yōu)勢體現(xiàn)：碳化硅MOSFET的高開關速度和低導通電阻，可降低電機控制器的開關損耗和導通損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。例如，在電動汽車行駛過程中，電機控制器需......
碳化硅M...
2025-06-27
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碳化硅MOSFET有什么優(yōu)點和缺點？
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碳化硅（SiC）MOSFET 作為一種新型的功率半導體器件，在許多應用領域展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢，但也存在一些不足之處，以下是其優(yōu)缺點的詳細分析：優(yōu)點1.高溫性能優(yōu)異耐受高溫：碳化硅材料具有高禁帶寬度（約 3.26eV），相比硅（Si，禁帶寬度約 1.12eV），碳化硅MOSFET 能夠在更高的溫度下穩(wěn)定工作，通常其最高工作溫度可達 200℃甚......
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2025-06-27
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英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、及應用
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英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進的溝槽半導體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中最低的損耗和最高的運行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級，導通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術可實現(xiàn)靈活的參數(shù)設置......
英飛凌 Cool... 碳化硅M...
2024-04-19
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應用
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術，提供卓越的開關性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC M......
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2024-03-04
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術，提供卓越的開關性能。與傳統(tǒng)的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......
ONSE... nvh0... 碳化硅M...
2024-02-28
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開關性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統(tǒng)的優(yōu)點包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......
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2024-02-28
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onsemi NXH40B120MNQ0全碳化硅MOSFET模塊
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onsemi NXH40B120MNQ0全碳化硅（SiC）MOSFET模塊是一款高性能的電力電子器件，以下是對其的詳細介紹：主要組成：該模塊包含一個雙升壓級，由兩個40mΩ/1200V SiC MOSFET和兩個40A/1200V SiC二極管組成。另外，它還包含兩個額外的50A/1200V旁路整流器，用于浪涌電流限制。特性與優(yōu)勢：低傳導......
ONSE... NXH4... MOSF...
2022-07-15
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onsemi M3S 1200 V碳化硅mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi（安森美）M3S 1200V碳化硅MOSFET的介紹、特性及應用一、介紹onsemi（安森美）推出的M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET是該公司最新一代的碳化硅功率器件，專為提高電動汽車（EV）和能源基礎設施應用的效率而設計。該系列產(chǎn)品不僅繼承了SiC MOSFET在提高效率、增加功率密度方面的優(yōu)勢，還針對特定應用進......
SiC ... ONSE... 碳化硅
2022-03-28
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意法半導體正式推出第三代STPOWER碳化硅MOSFET
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意法半導體正式推出的第三代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET，是電力電子領域的一項重要技術突破，尤其在電動汽車和工業(yè)市場應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。以下是對該產(chǎn)品的詳細分析：一、產(chǎn)品背景與優(yōu)勢1. 產(chǎn)品背景意法半導體作為半導體行業(yè)的領先企業(yè)，一直致力于推動技術創(chuàng)新和產(chǎn)品升級。第三代STPOWER碳化硅MOSFET的推出，是其對高壓、高功......
可再生能... 儲能系統(tǒng) 汽車動力...
2021-12-16
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Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設計提供碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅動器
Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設計提供碳化硅MOSFE...
Microchip與Mersen合作推出的SiC（碳化硅）電源協(xié)議棧參考設計，確實涉及Microchip為Mersen提供碳化硅MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和數(shù)字柵極驅動器的支持。以下是對此合作的詳細解析：一、合作背景與目的背景：電動汽車、商業(yè)運輸、可再生能源和存儲系統(tǒng)設計人員需要提高性能和成本效率的電源管理解決方案。碳化......
雙通道數(shù)... 功率逆變... 熔斷器
2021-12-10
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Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅動器，可將開關損耗降低50%，同時加快產(chǎn)品上市時間，現(xiàn)已投入生產(chǎn)
Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅動器，可將開關...
Microchip推出的首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅動器，在電力電子領域引起了廣泛關注。這款柵極驅動器憑借其顯著的性能優(yōu)勢，不僅大幅降低了開關損耗，還加快了產(chǎn)品的上市時間，并已正式投入生產(chǎn)。以下是對該產(chǎn)品的詳細介紹：產(chǎn)品特點完全可配置性：Microchip的這款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅動器具有高度的可配置性，允許系統(tǒng)設......
太陽能逆... 儲能系統(tǒng) 模塊適配...
2021-09-24
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“最強風投”入股，碳化硅大戰(zhàn)拉開序幕
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百度芯片業(yè)務成立獨立芯片公司的事件，可以從以下幾個方面進行詳細介紹：一、公司背景與成立百度旗下昆侖芯片業(yè)務于2021年6月成立獨立新公司——昆侖芯（北京）科技有限公司。百度芯片首席架構師歐陽劍出任昆侖芯片公司CEO。這一舉措標志著百度在芯片業(yè)務上的進一步獨立和專業(yè)化發(fā)展。二、融資情況昆侖芯科技在今年3月（即2021年3月）完成了獨立融資。......
VR/A... 碳化硅M... 半絕緣型
2021-06-29
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安森美半導體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
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安森美半導體在APEC 2021（應用電力電子會議）上確實發(fā)布了新的用于電動車充電的完整碳化硅（SiC）MOSFET模塊方案。以下是對該方案的詳細解讀：一、發(fā)布背景與目的隨著電動車市場的不斷增長，對充電基礎設施的需求也日益迫切。為了滿足駕駛員對快速充電站網(wǎng)絡的需求，以及緩解“續(xù)航里程焦慮癥”，安森美半導體推出了這一新的碳化硅MOSFET模......
器件電容 熱敏電阻 門極驅動...
2021-06-09
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意法半導體發(fā)布隔離式柵極驅動器，可安全控制碳化硅MOSFET
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意法半導體發(fā)布的隔離式柵極驅動器，確實可以安全控制碳化硅（SiC）MOSFET。以下是對該產(chǎn)品的詳細介紹：一、產(chǎn)品概述意法半導體推出的STGAP系列隔離式柵極驅動器，旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。其中，STGAP2SiCS是STGAP系列隔離式柵極驅動器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅（SiC）MOSFET，工作電源......
柵極驅動... 電磁爐 家用電器
2021-03-23
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東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設備效率和小型化
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東芝推出的新款碳化硅（SiC）MOSFET模塊，在提升工業(yè)設備效率和小型化方面取得了顯著進展。以下是對該新款碳化硅MOSFET模塊的詳細介紹：一、產(chǎn)品背景與特點東芝作為半導體和存儲解決方案的領先供應商，一直致力于為工業(yè)應用提供高性能的功率器件。此次推出的新款碳化硅MOSFET模塊，是東芝在碳化硅技術領域的又一重要突破。該模塊具有低導通電阻......
MOSF...
2021-03-01
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東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET
東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET
東芝推出的新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET，是針對高效率電源應用需求設計的一款先進功率器件。碳化硅作為第三代半導體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，具有更優(yōu)異的電學和熱學性能，特別適用于需要高效率、高功率密度和高溫運行的場景。核心優(yōu)勢與特性低導通電阻（Rds(on)）碳化硅MOSFET的導通電阻顯著低于硅基IGBT或MOSFET，這意味......
碳化硅M...
2020-10-23
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