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功率晶體管
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L6203驅動器的隔離DMOS功率晶體管是什么
L6203驅動器的隔離DMOS功率晶體管是什么
L6203驅動器中的隔離DMOS功率晶體管是其核心組件之一，對于理解L6203的性能和應用至關重要。以下是對隔離DMOS功率晶體管的詳細解釋：一、定義與功能隔離DMOS功率晶體管是一種特殊的場效應晶體管，它結合了DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）的高性能和隔離技術的安全性。在L6203驅動器中，隔離DMOS功率晶體管負責將控制信號轉換為驅......
L620...
2024-10-17
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什么是mjd122雙極型功率晶體管？
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MJD122雙極型功率晶體管概述一、基本介紹MJD122是一種NPN型雙極型功率晶體管，通常用于低頻開關電源、音頻放大器以及其他需要高電流和高功率的應用。它的設計旨在處理較大的功率負載，并能夠在較高電壓下穩定工作。MJD122具有優異的電流增益和開關速度，廣泛應用于電子設備和電力控制系統中。二、常見型號在市場上，MJD122有多個相似型號......
mjd1... 雙極型功...
2024-09-19
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什么是tip42c PNP互補硅塑料功率晶體管？
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引言TIP42C 是一種廣泛使用的 PNP 型互補硅塑料功率晶體管，常見于電子電路中作為開關和放大器的核心元件。功率晶體管在電子設備中扮演著重要的角色，特別是在需要高電流和高功率處理的場合。TIP42C 以其優異的性能、可靠性和廣泛的應用領域，成為電子工程師的常用選擇之一。常見型號TIP42C 屬于 TIP42 系列，該系列晶體管包括多個......
tip4... PNP互...
2024-08-26
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意法半導體TIP41C NPN功率晶體管中文資料
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意法半導體TIP41C NPN功率晶體管中文資料一、型號與類型TIP41C是一款由美國得克薩斯儀表公司（現可能隸屬于意法半導體或其他半導體制造商）生產的NPN型中功率三極管。這款晶體管以其廣泛的應用范圍和穩定的性能在電子行業中享有較高聲譽。TIP41C作為NPN型三極管，具有三個主要區域：發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極......
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2024-07-18
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ON安森美NJW0281G NPN雙極型功率晶體管中文資料
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ON安森美NJW0281G NPN雙極型功率晶體管中文資料一、型號與類型NJW0281G是ON安森美（ON Semiconductor）生產的一款NPN雙極型功率晶體管，其型號為NJW0281G，屬于雙極結型晶體管（BJT）類別。這款晶體管以其出色的性能和高可靠性，廣泛應用于各種電子設備和系統中。廠商名稱：ON安森美元件分類：三極管中文描......
安森美 NJW0... NPN雙...
2024-07-10
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意法半導體MJE3055TNPN功率晶體管中文資料
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意法半導體 MJE3055T NPN 功率晶體管中文資料型號類型MJE3055T 是意法半導體（STMicroelectronics）生產的一種NPN型功率晶體管。它是中功率、高電流和高壓的代表產品，廣泛應用于各種電子電路中。NPN型晶體管是指其內部結構中具有一個P型半導體層夾在兩個N型半導體層之間，其符號為射極（E）、基極（B）和集電極......
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2024-07-05
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ON安森美BU406G雙極功率晶體管中文資料
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ON安森美BU406G雙極功率晶體管ON安森美半導體（ON Semiconductor）是一家全球領先的半導體制造商，提供各種電子元器件及解決方案。BU406G是其生產的雙極功率晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）中的一個經典型號，主要用于高電壓、大電流場合。BU406G屬于NPN型功率晶體管，具有高......
安森美 BU40... 雙極功率...
2024-07-04
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onsemi MJL21193G PNP雙極互補型音頻功率晶體管中文資料
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onsemi MJL21193G PNP雙極互補型音頻功率晶體管中文資料一、型號簡介1.1 型號說明MJL21193G 是 onsemi 生產的一款 PNP 型雙極互補型音頻功率晶體管，廣泛應用于音頻功率放大器及其他高功率應用領域。其 NPN 對應型號為 MJL21194G，兩者組合使用能夠提供優異的音頻性能。MJL21193G 晶體管在......
ONSE... MJL2... 音頻功率...
2024-07-03
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安森美MJE2955T PNP功率晶體管中文資料
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安森美MJE2955T PNP功率晶體管1. 型號及類型安森美（ON Semiconductor）MJE2955T是一款PNP功率晶體管，廣泛應用于各種電子電路中。MJE2955T屬于塑封功率晶體管系列，具有較高的電流和電壓承受能力。PNP型晶體管的主要特點是，當基極（B）相對于發射極（E）為負時，晶體管處于導通狀態。MJE2955T的型......
安森美 MJE2... PNP功...
2024-06-21
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意法半導體D44H11 NPN互補功率晶體管中文資料
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意法半導體D44H11 NPN互補功率晶體管意法半導體（STMicroelectronics）生產的D44H11是一款NPN互補功率晶體管，常用于電源管理和電機控制等應用。這款晶體管的互補型號是D45H11，為PNP型互補功率晶體管。D44H11屬于單極型雙極性晶體管（BJT），與其互補型號D45H11一起，常用于推挽放大器電路中。推挽放......
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2024-06-20
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SiC和GaN的生產和成本挑戰快速采用
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SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）的生產和成本挑戰主要集中在以下幾個方面：1. 生產挑戰生產速度：SiC的生產過程相較于傳統的硅基材料更為緩慢。例如，用于生產SiC的過程需要很長時間，而硅晶片則是通過Czochralski工藝快速生產，其中數米長的硅晶錠從1500°C的熔融硅桶中拉出。加工難度：SiC和GaN作為硬而脆的材料，加工難度較大......
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2022-12-16
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英飛凌 800v CoolMOS P7功率晶體管的介紹、特性、及應用
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英飛凌800V CoolMOS? P7功率晶體管是一款基于超級結技術的高性能產品，以下是對其的介紹、特性及應用的詳細分析：介紹英飛凌800V CoolMOS? P7系列功率晶體管是專為低功率SMPS（開關模式電源）應用設計的。這款產品結合了一流的性能與最先進的易用性，為800V超級結技術樹立了新的標桿。特性高效能：相比于其前代產品和在典型......
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2022-10-25
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2022年功率晶體管銷售額和ASP均增長 11%
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2022年功率晶體管銷售額和ASP（平均售價）均增長11%根據IC Insights發布的最新報告，2022年功率晶體管的銷售額和平均售價均實現了顯著的增長，具體表現為：銷售額增長：2022年功率晶體管的銷售額預計將增長11%，達到245億美元。這一增長主要是由于供應緊張、元器件缺貨等因素推動了功率晶體管的平均售價上漲，達到了2010年以......
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2022-10-18
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意法半導體氮化鎵功率半導體PowerGaN系列首發，讓電源能效更高、體積更纖薄
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意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出的氮化鎵（GaN）功率半導體PowerGaN系列，確實在提升電源能效和減小體積方面展現出了顯著的優勢。以下是對該系列產品的詳細分析：一、產品概述意法半導體的PowerGaN系列是基于氮化鎵（GaN）材料的功率半導體產品，該系列屬于意法半導體的STPOWER產品組合。氮化鎵作為......
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2021-12-20
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埃賦隆推出400W堅固耐用的Doherty射頻功率晶體管，據此擴展LDMOS基站和多載波產品線
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埃賦隆（Ampleon）推出的400W堅固耐用的Doherty射頻功率晶體管（型號為BLC10G27XS-400AVT）是該公司在射頻功率領域的一項重要創新，旨在擴展其LDMOS基站和多載波產品線。以下是對該產品的詳細介紹：一、產品特點高功率與耐用性：該晶體管提供400W的功率輸出，專為在2.496GHz至2.690GHz頻率范圍內工作的......
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2021-10-29
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意法半導體推出新的射頻LDMOS功率晶體管
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意法半導體（STMicroelectronics）在射頻LDMOS功率晶體管領域持續推出創新產品，以滿足不斷增長的市場需求。以下是關于意法半導體最新推出的射頻LDMOS功率晶體管的詳細介紹：一、產品系列與特點意法半導體推出的射頻LDMOS功率晶體管主要包括多個系列，如IDCH、IDDE和IDEV等，每個系列都有其獨特的特點和應用范圍：ID......
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2021-08-16
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氮化鎵功率晶體管價格降至1美元以下
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氮化鎵（GaN）功率晶體管的價格降至1美元以下，這一趨勢反映了氮化鎵技術的快速發展和生產成本的不斷降低。以下是對氮化鎵功率晶體管價格下降至1美元以下這一現象的分析：一、價格現狀目前，市場上已有多種氮化鎵功率晶體管的價格降至1美元以下。這些產品來自不同的廠商，具有不同的規格和性能。例如，在某些電商平臺上，可以找到價格低于1美元的氮化鎵功率晶......
氮化鎵功... 筆記本電... AC適配...
2021-03-12
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Ampleon發布800W高效射頻功率晶體管
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Ampleon近期發布了多款800W高效射頻功率晶體管，包括ART800PE、BLU9H0408L-800P等型號，專為工業、科學、醫療及遠程超高頻雷達系統設計。以下是具體分析：一、產品技術亮點高功率輸出與效率ART800PE：功率輸出高達800W（脈沖），效率達74.5%，支持Class E操作，內置雙面ESD保護，可承受高達65V電壓......
功率晶體...
2020-11-10
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為遠程超高頻雷達系統而設計的高效堅固的800W LDMOS射頻功率晶體管
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為遠程超高頻雷達系統設計的高效堅固800W LDMOS射頻功率晶體管是當前雷達技術領域的重要器件，其典型代表如Ampleon（埃賦隆半導體）的BLU9H0408L-800P。以下從技術特性、應用優勢及設計考量三方面展開介紹：一、技術特性功率與效率輸出功率：800W，滿足遠程雷達對大功率發射的需求。效率：典型效率達70%，顯著降低能耗與散熱......
超高頻雷...
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