一、核心結(jié)論：III類管全面勝出，II類管僅適用于特定場(chǎng)景直接答案：III類管（III-V族化合物半導(dǎo)體）更適合做電子器件，因其高頻、高壓、高速性能及工藝成熟度遠(yuǎn)超II類管（II-VI族化合物半導(dǎo)體）。II類管僅在長(zhǎng)波紅外探測(cè)和特定紫外波段發(fā)光領(lǐng)域具有不可替代性。二、關(guān)鍵性能對(duì)比：III類管的技術(shù)碾壓優(yōu)勢(shì)性能指標(biāo)III類管（以GaN為例）......

一、分類基礎(chǔ)：陽(yáng)離子族系與晶體化學(xué)鍵II類管（II-VI族化合物半導(dǎo)體）陽(yáng)離子來(lái)源：第II族元素（Zn、Cd、Hg、Mg等）陰離子來(lái)源：第VI族元素（S、Se、Te、O等）鍵合特性：離子鍵主導(dǎo)（如Zn-Se鍵），陽(yáng)離子與陰離子電負(fù)性差異大（如Zn電負(fù)性1.65，Se電負(fù)性2.55），導(dǎo)致晶格振動(dòng)強(qiáng)、電子遷移率低。晶體結(jié)構(gòu)：多為閃鋅礦或纖鋅......

一、分類依據(jù)：陽(yáng)離子族系與晶體結(jié)構(gòu)II類管（II-VI族化合物半導(dǎo)體）陽(yáng)離子：第II族元素（Zn、Cd、Hg、Mg等）陰離子：第VI族元素（S、Se、Te、O等）典型材料：ZnSe、CdTe、HgCdTe、ZnO鍵合特性：以離子鍵為主（如Zn-Se鍵），晶格常因離子半徑差異導(dǎo)致失配，易產(chǎn)生缺陷。能帶結(jié)構(gòu)：直接/間接帶隙混合（如ZnSe為直......