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單n溝道功率mosfet
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onsemi NVMFS5C604N單n通道功率MOSFET具有288A連續(xù)漏極電流，1.2毫歐在10V R(DS(ON))和60V漏源電壓。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引線封裝，設(shè)計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。特性占地面積小(5mm x 6mm......
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onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet封裝在5mm x 6mm平面引線封裝中，便于高效設(shè)計。onsemi NVBLS0D8N08X mosfet具有可濕性側(cè)面選項，用于增強光學(xué)檢查，確保質(zhì)量控制。mosfet通過AEC-Q101認證，可用于汽車應(yīng)用。特性占地面積小(5mm x 6mm)低R (DS(上))低QG和電......
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onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet專為汽車應(yīng)用而設(shè)計，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。onsemi NVMYS4D5N04C實現(xiàn)了緊湊高效的設(shè)計，同時確保了高熱性能。mosfet通過AEC-Q101認證，并具備PPAP能力，可用于需要增強板級可靠性的汽車應(yīng)用。特性低R (DS(上))低QG和電容通過AE......
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onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet具有緊湊的設(shè)計，占地面積小，為5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空間高效應(yīng)用的理想選擇，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，確保高效的電源管理。此外，低QG和電容有助于最大限度地減少驅(qū)動器損耗。特性低QG和電容低......
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onsemi NVMFWS003N10MC單n溝道功率mosfet在10V R(DS(ON))和100V漏源電壓下提供169A連續(xù)漏極電流3.1毫歐。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設(shè)計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。特性占地面積小(5......
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