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半導體沉積設備
半導體沉積設備
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本實用新型公開了一種半導體沉積設備,包括沉積腔蓋,所述沉積腔蓋底部設有若干噴氣組件,所述噴氣組件包括噴氣頭及自鎖氣缸,所述自鎖氣缸缸體連接至沉積腔蓋,其活塞桿的端部連接至噴氣頭的上表面;還包括傳感器,電磁閥與信號處理器,所述傳感器為壓力傳感器/距離傳感器,所述噴氣頭下表面圓心處設有凹槽,所述傳感器設于所述凹槽內,所述傳感器的輸出端連接至信號處理器的輸入端,所述電磁閥設于供氣管上以控制其導通/關閉,所述信號處理器的輸出端連接至電磁閥.本實用新型一次性實現噴氣頭與晶片之間間距調節,自動化程度高,操作方便,避免人為失誤.

國產半導體沉積設備已覆蓋成熟與先進制程，自給率已突破10%，正逐步攀升
國產半導體沉積設備已覆蓋成熟與先進制程，自給率已突破10%，正逐步攀升
國產半導體沉積設備在近年來取得了顯著進展，已經覆蓋了成熟與先進制程，自給率已突破10%，并正在逐步攀升。以下是對這一情況的詳細分析：一、自給率提升情況自給率突破10%：據拓墣產業研究院等權威機構的研究數據顯示，中國本土半導體制造所需的沉積設備自給率在2020年已達到10%，這是一個重要的里程碑，標志著國產沉積設備在技術和市場應用上取得了顯......
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2021-09-16
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