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寄生電容
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什么是ESL和寄生電容？
什么是ESL和寄生電容？
ESL（等效串聯電感）是電容的一種特性參數，指電容在等效串聯電路中的電感部分，反映了電容內部電感的影響。它主要由電容器的引腳電感和兩個極板的等效電感串聯而成。電容本質上是一個LC電路，ESL和容值共同決定了其諧振頻率，從而影響電容的工作性能。在高頻應用中，ESL會導致電容器呈現感性特性，限制電流流動，降低濾波效果，影響電源電路的穩定性和信......
寄生電容
2025-06-24
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寄生電容對寫入電壓強度和寫入時間有何影響？
寄生電容對寫入電壓強度和寫入時間有何影響？
寄生電容是電路中不可避免的電容效應，主要來源于PCB走線、芯片引腳、封裝結構等。在EEPROM寫入操作中，寄生電容會直接影響寫入電壓的穩定性和寫入時間，進而影響寫入可靠性。以下從物理機制、量化分析和優化措施三方面深入解析。一、寄生電容對寫入電壓強度的影響1. 電壓分壓效應機制：EEPROM寫入時，控制柵（Control Gate）需要施加......
寄生電容
2025-06-13
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如何降低寄生電容對射頻電路的影響呢？
如何降低寄生電容對射頻電路的影響呢？
在射頻電路中，寄生電容會帶來增益下降、穩定性變差、帶寬受限等諸多不良影響，為降低其影響，可從電路設計、布局布線、元件選擇、工藝優化等方面入手，以下是詳細介紹：電路設計優化采用合適的電路拓撲結構共源共柵結構：在射頻放大器中，共源共柵（Cascode）結構能有效抑制晶體管柵漏電容（Cgd）的米勒效應。米勒效應會使Cgd在輸入輸出之間形成較大的......
寄生電容
2025-06-04
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寄生電容對高頻放大的影響具體可以如何分析呢？
寄生電容對高頻放大的影響具體可以如何分析呢？
1. 等效電路模型法原理：將高頻放大電路中的寄生電容抽象為等效電路模型中的電容元件，結合晶體管等核心元件的等效模型，構建完整的放大電路等效電路。例如，在共源極高頻放大電路中，晶體管可等效為受控電流源、柵源電容Cgs、柵漏電容Cgd和漏源電容Cds等元件組成的模型，再結合外圍的偏置電阻、負載電阻等元件，構建出完整的等效電路。分析過程：通過等......
寄生電容
2025-06-04
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寄生電容對高頻放大的影響是否可以避免呢？
寄生電容對高頻放大的影響是否可以避免呢？
寄生電容對高頻放大的影響難以完全避免，但可通過合理設計、工藝優化、材料選擇和仿真驗證等多種措施將其影響降至最低，以下為你展開分析：難以完全避免的原因物理本質決定：寄生電容是由電路元件的物理結構、布局布線以及材料特性等因素引起的。例如，在集成電路中，晶體管的源極、柵極和漏極之間必然存在一定的電容耦合；在印刷電路板（PCB）上，相鄰的走線之間......
寄生電容
2025-06-04
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寄生電容對高頻放大的影響是什么？
寄生電容對高頻放大的影響是什么？
寄生電容對高頻放大的影響是多維度且顯著的，它會從增益、穩定性、帶寬、線性度、噪聲性能以及電路設計難度等多個方面對高頻放大器產生不利作用，以下為你詳細闡述：1. 增益下降高頻分流作用：在高頻放大器中，晶體管的柵源電容（Cgs）和柵漏電容（Cgd）等寄生電容，在高頻下相當于一個低阻抗通路。信號電流通過這些寄生電容分流，而不是全部進入晶體管的輸......
寄生電容
2025-06-04
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寄生電容對射頻電路有什么影響嗎？
寄生電容對射頻電路有什么影響嗎？
寄生電容是射頻電路設計中不可忽視的寄生參數，它對電路性能的影響廣泛且顯著。以下是寄生電容對射頻電路的主要影響及分析：1. 頻率響應與帶寬限制諧振效應：寄生電容與電路中的電感形成諧振回路，在特定頻率下產生諧振峰或谷，導致頻率響應不平坦。例如，在濾波器電路中，寄生電容可能使通帶邊緣出現意外的增益峰值或衰減，影響信號完整性。帶寬壓縮：寄生電容作......
射頻電路
2025-06-04
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寄生電容對射頻電路性能有什么影響？
寄生電容對射頻電路性能有什么影響？
寄生電容對射頻電路性能的影響是多方面的，涉及頻率響應、增益、穩定性、噪聲、匹配與效率等多個關鍵參數，以下展開詳細說明：1. 頻率響應與帶寬限制諧振與峰值效應：寄生電容與電路中的電感形成諧振回路，在特定頻率下產生諧振峰或谷，導致頻率響應不平坦。例如，在濾波器電路中，寄生電容可能使通帶邊緣出現意外的增益峰值或衰減。帶寬壓縮：寄生電容作為低通濾......
寄生電容
2025-06-04
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射頻晶體管封裝的寄生電容怎么看？
射頻晶體管封裝的寄生電容怎么看？
在射頻電路設計中，射頻晶體管封裝的寄生電容是一個重要參數，它會影響晶體管的頻率響應、增益、穩定性等性能。以下從寄生電容的來源、查看方法及影響分析等方面詳細介紹：寄生電容的來源射頻晶體管封裝中的寄生電容主要來源于以下幾個方面：引腳間電容：晶體管的引腳之間存在電容，這是由于引腳之間的金屬距離較近，在電場作用下會形成電容效應。例如，在一些小型封......
寄生電容
2025-06-04
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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
使用氮化鎵(GaN)提高電源效率是一個在電子工程領域廣泛研究和應用的技術趨勢。氮化鎵作為一種新型半導體材料，相比傳統的硅材料，在電源效率提升方面具有顯著優勢。以下是從多個方面詳細闡述氮化鎵如何提高電源效率：一、氮化鎵的物理特性高帶隙能：氮化鎵提供的帶隙能約為3.2電子伏特(eV)，大約是硅材料的3倍。理論上，更高的帶隙意味著在較高溫度下能......
氮化鎵 寄生電容 PD適配...
2021-12-14
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TDK CAN FD用共模濾波器－ACT1210D
TDK CAN FD用共模濾波器－ACT1210D
TDK CAN FD用共模濾波器－ACT1210D是一款針對CAN FD（CAN with Flexible Data rate）應用進行了優化的產品，主要通過其獨特的結構設計來最小化泄漏電感、寄生電容和模式轉換特性。以下是對該產品的詳細介紹：一、產品概述產品名稱：TDK CAN FD用共模濾波器－ACT1210D應用領域：主要用于車載通......
寄生電容 通信系統 ACT1...
2021-11-25
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TDK CAN FD用共模濾波器-ACT1210D
TDK CAN FD用共模濾波器-ACT1210D
TDK CAN FD用共模濾波器-ACT1210D是一種針對CAN FD（CAN with Flexible Data Rate，即具有靈活數據速率的CAN）應用進行了優化的產品。以下是關于該產品的詳細介紹：基本概述產品名稱：TDK CAN FD用共模濾波器-ACT1210D產品特點：通過包含繞組工藝的獨有結構設計，使泄漏電感、寄生電容、......
共模濾波... CAN收... 寄生電容
2021-11-23
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過壓保護:TDK推出高效ESD保護的超小型TVS二極管
過壓保護:TDK推出高效ESD保護的超小型TVS二極管
TDK推出的高效ESD保護的超小型TVS二極管，為電路的過壓保護提供了全新的解決方案。以下是對這一產品的詳細介紹：一、產品背景隨著電子設備的不斷小型化和集成化，對過壓保護元件的要求也越來越高。傳統的過壓保護元件往往體積較大，難以滿足現代電子設備對空間的需求。因此，TDK推出了這款超小型TVS二極管，以滿足市場對小型化、高性能過壓保護元件的......
TVS二... 瞬態抑制 寄生電容
2021-04-30
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過孔的寄生電容和寄生電感
過孔的寄生電容和寄生電感
過孔（金屬氧化孔）在高速數字電路設計中主要用于連接各層印制導線，但過孔本身存在的寄生參數，包括寄生電容和寄生電感，會對電路性能產生顯著影響。以下是對過孔的寄生電容和寄生電感的詳細解釋：一、過孔的寄生電容定義：過孔的寄生電容是指過孔與地之間形成的電容。計算公式：C：過孔的寄生電容。ε：PCB板基材的介電常數。T：PCB板的厚度。D1：過孔焊......
寄生電感
2021-04-02
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