Nand閃存分類

　　NAND閃存是一種廣泛使用的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，因其高密度、低成本和快速讀寫性能而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和存儲(chǔ)系統(tǒng)中。根據(jù)其結(jié)構(gòu)和性能特點(diǎn)，NAND閃存可以分為幾種不同的類型：

　　SLC（Single-Level Cell）： SLC是最基本的NAND閃存類型，每個(gè)存儲(chǔ)單元只存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)。由于每個(gè)單元只有一種充電狀態(tài)和一種未充電狀態(tài)，因此SLC的讀寫速度最快，錯(cuò)誤率最低，壽命最長(zhǎng)。然而，其存儲(chǔ)密度較低，成本較高，因此主要用于需要高速和高可靠性的應(yīng)用，如服務(wù)器和高性能存儲(chǔ)系統(tǒng)。

　　MLC（Multi-Level Cell）： MLC每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)，通過(guò)不同的電荷水平來(lái)表示四種狀態(tài)。相比SLC，MLC的存儲(chǔ)密度更高，成本更低，但其讀寫速度和壽命有所降低，因?yàn)楦嗟碾姾伤皆黾恿藬?shù)據(jù)讀寫和糾錯(cuò)的復(fù)雜性。MLC廣泛用于消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）和移動(dòng)設(shè)備中。

　　TLC（Triple-Level Cell）： TLC每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)，具有更高的存儲(chǔ)密度和更低的成本。然而，TLC的讀寫速度和壽命進(jìn)一步降低，因?yàn)樗枰獏^(qū)分更多的電荷水平。TLC廣泛用于大容量存儲(chǔ)設(shè)備，如USB閃存盤和消費(fèi)級(jí)SSD。

　　QLC（Quadruple-Level Cell）： QLC是最新一代的NAND閃存，每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)4位數(shù)據(jù)。QLC的存儲(chǔ)密度最高，成本最低，但由于需要區(qū)分更多的電荷水平，其讀寫速度和壽命進(jìn)一步降低。QLC適合用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用，如數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)系統(tǒng)。

　　3D NAND：傳統(tǒng)的平面NAND閃存隨著存儲(chǔ)密度的提高，逐漸達(dá)到了物理極限。3D NAND通過(guò)堆疊多層存儲(chǔ)單元，實(shí)現(xiàn)了更高的存儲(chǔ)密度和更好的性能。3D NAND結(jié)合了多種單元類型（如SLC、MLC、TLC和QLC），在保持高容量的同時(shí)，提高了速度和可靠性。3D NAND廣泛用于高端SSD和企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)。

　　總結(jié)來(lái)說(shuō)，NAND閃存根據(jù)其存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)和性能特點(diǎn)，可以分為SLC、MLC、TLC、QLC和3D NAND等多種類型。不同類型適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景，從高速、高可靠性的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)到大容量、低成本的消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，NAND閃存將繼續(xù)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

　　Nand閃存工作原理

　　NAND閃存是一種廣泛使用的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，因其高密度、低成本和快速讀寫性能而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和存儲(chǔ)系統(tǒng)中。理解NAND閃存的工作原理有助于深入掌握其性能特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。

　　NAND閃存的基本單元是存儲(chǔ)單元，每個(gè)單元由一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）組成，該晶體管包含源極、漏極和柵極。與普通MOSFET不同的是，NAND閃存的柵極和漏極/源極之間存在一個(gè)浮置柵，用于存儲(chǔ)電荷。浮置柵被一層絕緣材料包圍，能夠長(zhǎng)時(shí)間保持電荷。

　　NAND閃存的工作原理基于電荷的存儲(chǔ)和釋放。數(shù)據(jù)在NAND閃存中以電荷的形式存儲(chǔ)，存儲(chǔ)的電荷量取決于控制柵極所施加的電壓。具體來(lái)說(shuō)，NAND閃存的操作主要包括三個(gè)基本過(guò)程：編程、讀取和擦除。

　　編程（寫入）：編程過(guò)程是向存儲(chǔ)單元注入電荷的過(guò)程。通過(guò)向控制柵極施加高電壓，浮置柵上的電荷會(huì)被重新分配，從而改變晶體管的閾值電壓（Vth）。當(dāng)Vth高于某一特定值時(shí)，晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，表示數(shù)據(jù)“0”；當(dāng)Vth低于該特定值時(shí)，晶體管處于開啟狀態(tài)，表示數(shù)據(jù)“1”。通過(guò)這種方式，NAND閃存可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入。

　　讀取：讀取過(guò)程是檢測(cè)存儲(chǔ)單元中電荷量的過(guò)程。通過(guò)向控制柵極施加讀取電壓，檢測(cè)晶體管是否導(dǎo)通。如果晶體管導(dǎo)通，則表示存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)為“1”；如果不導(dǎo)通，則表示存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)為“0”。讀取過(guò)程不需要改變存儲(chǔ)單元的狀態(tài)，因此速度快且能耗低。

　　擦除：擦除過(guò)程是清除存儲(chǔ)單元中電荷的過(guò)程。由于浮置柵被絕緣材料包圍，電荷的釋放需要通過(guò)隧道效應(yīng)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)向控制柵極施加高電壓，使浮置柵上的電荷通過(guò)絕緣層釋放到襯底中，從而將存儲(chǔ)單元復(fù)位到初始狀態(tài)。擦除過(guò)程通常以塊為單位進(jìn)行，這是NAND閃存的一個(gè)重要特點(diǎn)。

　　值得注意的是，NAND閃存的寫入次數(shù)有限，因?yàn)樵诰幊毯筒脸^(guò)程中，絕緣層會(huì)逐漸損耗，導(dǎo)致電荷泄漏和讀寫性能下降。為了延長(zhǎng)NAND閃存的使用壽命，通常采用磨損均衡技術(shù)和錯(cuò)誤校正碼（ECC）技術(shù)，通過(guò)分散寫入和擦除操作，提高數(shù)據(jù)的可靠性和存儲(chǔ)設(shè)備的耐久性。

　　總結(jié)來(lái)說(shuō)，NAND閃存的工作原理基于電荷的存儲(chǔ)和釋放，通過(guò)編程、讀取和擦除操作實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入和讀取。理解這些基本操作有助于優(yōu)化NAND閃存的性能和可靠性，從而更好地應(yīng)用于各種存儲(chǔ)需求。

　　Nand閃存作用

　　NAND閃存作為一種廣泛使用的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，因其高密度、低成本和快速讀寫性能而在現(xiàn)代電子設(shè)備和存儲(chǔ)系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。NAND閃存的主要作用體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

　　數(shù)據(jù)存儲(chǔ)： NAND閃存主要用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，包括操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、文件、圖片、視頻等各種類型的數(shù)字內(nèi)容。由于其非易失性特性，即使在斷電情況下，NAND閃存也能保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。因此，NAND閃存廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存盤、SD卡和其他各類存儲(chǔ)設(shè)備中。

　　快速讀寫：相比傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD），NAND閃存具有更快的讀寫速度，能夠顯著提高系統(tǒng)的性能。例如，在計(jì)算機(jī)中使用SSD作為啟動(dòng)盤，可以大幅縮短操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的加載時(shí)間，提升用戶體驗(yàn)。此外，NAND閃存的低功耗特性也使其特別適合用于移動(dòng)設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦。

　　耐用性和可靠性： NAND閃存沒(méi)有機(jī)械部件，因此更加耐用和抗震。在惡劣環(huán)境下，NAND閃存依然能夠保持穩(wěn)定的工作性能，降低了數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)。盡管如此，NAND閃存的寫入次數(shù)有限，因此在高寫入負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景中，需要采取磨損均衡技術(shù)和錯(cuò)誤校正碼（ECC）技術(shù)，以延長(zhǎng)其使用壽命。

　　可擴(kuò)展性和靈活性： NAND閃存具有高度的可擴(kuò)展性和靈活性，可以根據(jù)不同的需求進(jìn)行配置和優(yōu)化。例如，通過(guò)增加存儲(chǔ)單元的數(shù)量，可以實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)；通過(guò)采用多層單元（MLC）、三層單元（TLC）和四層單元（QLC）技術(shù)，可以在保持高容量的同時(shí)，降低成本和提高性能。此外，3D NAND技術(shù)通過(guò)堆疊多層存儲(chǔ)單元，進(jìn)一步提高了存儲(chǔ)密度和性能。

　　低功耗和環(huán)保： NAND閃存的低功耗特性使其特別適合用于移動(dòng)設(shè)備和便攜式存儲(chǔ)設(shè)備。與傳統(tǒng)的HDD相比，NAND閃存消耗的電能更少，產(chǎn)生的熱量更低，有助于延長(zhǎng)電池壽命和降低環(huán)境影響。因此，NAND閃存在綠色計(jì)算和可持續(xù)發(fā)展方面也具有重要意義。

　　總結(jié)來(lái)說(shuō)，NAND閃存在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、快速讀寫、耐用性和可靠性、可擴(kuò)展性和靈活性以及低功耗和環(huán)保等方面發(fā)揮了重要作用。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，NAND閃存將繼續(xù)在各種電子設(shè)備和存儲(chǔ)系統(tǒng)中扮演關(guān)鍵角色，推動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新。

　　Nand閃存特點(diǎn)

　　NAND閃存作為一種廣泛使用的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，因其獨(dú)特的性能特點(diǎn)而在現(xiàn)代電子設(shè)備和存儲(chǔ)系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用。以下是NAND閃存的一些主要特點(diǎn)：

　　高密度和大容量： NAND閃存具有很高的存儲(chǔ)密度，能夠在較小的物理空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)。這使得NAND閃存特別適合用于移動(dòng)設(shè)備、固態(tài)硬盤（SSD）和其他需要高容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。通過(guò)采用多層單元（MLC）、三層單元（TLC）和四層單元（QLC）技術(shù)，NAND閃存的容量可以進(jìn)一步提高。

　　快速讀寫性能： NAND閃存的讀寫速度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD），能夠顯著提高系統(tǒng)的性能和響應(yīng)速度。例如，在計(jì)算機(jī)中使用SSD作為啟動(dòng)盤，可以大幅縮短操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的加載時(shí)間，提升用戶體驗(yàn)。此外，NAND閃存的低功耗特性也使其特別適合用于移動(dòng)設(shè)備。

　　非易失性和持久性： NAND閃存是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即使在斷電情況下也能保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。這一特性使其特別適合用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和備份應(yīng)用，確保數(shù)據(jù)的安全性和持久性。然而，需要注意的是，NAND閃存的寫入次數(shù)有限，因此在高寫入負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景中，需要采取磨損均衡技術(shù)和錯(cuò)誤校正碼（ECC）技術(shù)，以延長(zhǎng)其使用壽命。

　　耐用性和抗震性： NAND閃存沒(méi)有機(jī)械部件，因此更加耐用和抗震。在惡劣環(huán)境下，NAND閃存依然能夠保持穩(wěn)定的工作性能，降低了數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)。此外，NAND閃存的低功耗和低熱量特性也有助于提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

　　可擴(kuò)展性和靈活性： NAND閃存具有高度的可擴(kuò)展性和靈活性，可以根據(jù)不同的需求進(jìn)行配置和優(yōu)化。例如，通過(guò)增加存儲(chǔ)單元的數(shù)量，可以實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)；通過(guò)采用3D NAND技術(shù)，可以進(jìn)一步提高存儲(chǔ)密度和性能。此外，NAND閃存還可以與其他存儲(chǔ)技術(shù)結(jié)合使用，形成混合存儲(chǔ)系統(tǒng)，以滿足不同的性能和成本要求。

　　低功耗和環(huán)保： NAND閃存的低功耗特性使其特別適合用于移動(dòng)設(shè)備和便攜式存儲(chǔ)設(shè)備。與傳統(tǒng)的HDD相比，NAND閃存消耗的電能更少，產(chǎn)生的熱量更低，有助于延長(zhǎng)電池壽命和降低環(huán)境影響。因此，NAND閃存在綠色計(jì)算和可持續(xù)發(fā)展方面也具有重要意義。

　　總結(jié)來(lái)說(shuō)，NAND閃存具有高密度和大容量、快速讀寫性能、非易失性和持久性、耐用性和抗震性、可擴(kuò)展性和靈活性以及低功耗和環(huán)保等特點(diǎn)。這些特點(diǎn)使得NAND閃存在各種電子設(shè)備和存儲(chǔ)系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用，推動(dòng)了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新。

　　Nand閃存應(yīng)用

　　NAND閃存作為一種廣泛使用的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，因其高密度、低成本和快速讀寫性能而在現(xiàn)代電子設(shè)備和存儲(chǔ)系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用。以下是NAND閃存的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：

　　固態(tài)硬盤（SSD）： SSD是NAND閃存最重要的應(yīng)用之一。與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD）相比，SSD具有更快的讀寫速度、更低的功耗和更高的抗震性。因此，SSD廣泛用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，提供高性能和高可靠性的存儲(chǔ)解決方案。

　　移動(dòng)設(shè)備： NAND閃存廣泛用于智能手機(jī)、平板電腦和其他移動(dòng)設(shè)備中，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫和存儲(chǔ)功能。由于其低功耗特性，NAND閃存有助于延長(zhǎng)移動(dòng)設(shè)備的電池壽命，提升用戶體驗(yàn)。

　　數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)：在數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)中，NAND閃存用于存儲(chǔ)照片和視頻。由于其高密度和大容量，NAND閃存能夠滿足高分辨率和高幀率拍攝的需求，提供快速的數(shù)據(jù)記錄和回放功能。

　　游戲機(jī)和娛樂(lè)設(shè)備：游戲機(jī)和娛樂(lè)設(shè)備通常使用NAND閃存來(lái)存儲(chǔ)游戲數(shù)據(jù)和用戶設(shè)置。由于其快速讀寫性能，NAND閃存能夠提供流暢的游戲體驗(yàn)和快速的加載時(shí)間。

　　汽車電子系統(tǒng)：在現(xiàn)代汽車中，NAND閃存用于存儲(chǔ)導(dǎo)航數(shù)據(jù)、多媒體內(nèi)容和車輛控制系統(tǒng)軟件。由于其高可靠性和抗震性，NAND閃存能夠在惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定的工作性能，確保行車安全和舒適性。

　　工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備： NAND閃存廣泛用于工業(yè)控制設(shè)備、醫(yī)療成像設(shè)備和其他高可靠性應(yīng)用中。由于其非易失性和持久性，NAND閃存能夠在斷電情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性，確保設(shè)備的正常運(yùn)行和數(shù)據(jù)的安全性。

　　網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備：在路由器、交換機(jī)和其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中，NAND閃存用于存儲(chǔ)配置數(shù)據(jù)、固件和臨時(shí)數(shù)據(jù)。由于其快速讀寫性能和高可靠性，NAND閃存能夠提供穩(wěn)定的網(wǎng)絡(luò)連接和服務(wù)。

　　物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備：物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備通常使用NAND閃存來(lái)存儲(chǔ)傳感器數(shù)據(jù)、控制程序和通信協(xié)議。由于其低功耗和小尺寸，NAND閃存特別適合用于各種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，提供高效的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理功能。

　　總結(jié)來(lái)說(shuō)，NAND閃存在固態(tài)硬盤、移動(dòng)設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)、汽車電子系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備以及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，NAND閃存將繼續(xù)在各種電子設(shè)備和存儲(chǔ)系統(tǒng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，推動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新。

　　Nand閃存如何選型?

　　選擇合適的NAND閃存對(duì)于設(shè)計(jì)和優(yōu)化電子設(shè)備和存儲(chǔ)系統(tǒng)至關(guān)重要。選型過(guò)程中需要考慮多種因素，包括容量、速度、耐久性、成本和應(yīng)用場(chǎng)景等。以下是NAND閃存選型的一般步驟和注意事項(xiàng)：

　　確定容量需求：根據(jù)設(shè)備或系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求，選擇合適的容量。NAND閃存的容量通常以GB（千兆字節(jié)）或TB（太字節(jié)）為單位。例如，智能手機(jī)可能需要64GB、128GB或256GB的存儲(chǔ)空間，而服務(wù)器可能需要更高容量的SSD，如1TB、2TB或更大。

　　選擇合適的接口類型： NAND閃存設(shè)備通常有多種接口類型，包括SATA、PCIe、NVMe等。SATA接口廣泛用于傳統(tǒng)的SSD，提供穩(wěn)定的速度和兼容性。PCIe和NVMe接口則提供更高的帶寬和更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，適用于高性能存儲(chǔ)系統(tǒng)。

　　評(píng)估讀寫速度：讀寫速度是衡量NAND閃存性能的重要指標(biāo)。一般來(lái)說(shuō)，SSD的讀寫速度越高，系統(tǒng)性能越好。例如，某些高端SSD的順序讀寫速度可以達(dá)到數(shù)千MB/s，而隨機(jī)讀寫速度則以IOPS（每秒輸入輸出操作）為單位，某些SSD的IOPS可以達(dá)到數(shù)十萬(wàn)甚至上百萬(wàn)。

　　考慮耐久性和可靠性： NAND閃存的寫入次數(shù)有限，因此耐久性和可靠性是選型的重要因素。MLC（多層單元）、TLC（三層單元）和QLC（四層單元）技術(shù)在耐久性和成本之間有不同的權(quán)衡。MLC通常提供更高的耐久性和可靠性，但成本較高；TLC和QLC則提供更高的容量和較低的成本，但耐久性相對(duì)較低。

　　選擇合適的品牌和型號(hào)：市場(chǎng)上有很多品牌的NAND閃存產(chǎn)品，每個(gè)品牌和型號(hào)在性能、質(zhì)量和價(jià)格方面都有所不同。以下是一些常見的NAND閃存品牌和型號(hào)：

　　三星（Samsung）：三星是全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商，提供廣泛的SSD產(chǎn)品線。例如，三星970 EVO Plus是一款高性能的NVMe SSD，提供高達(dá)2TB的容量和高速的數(shù)據(jù)傳輸速度。

　　西部數(shù)據(jù)（Western Digital, WD）： WD提供多種SSD產(chǎn)品，包括消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)應(yīng)用。例如，WD Black SN750是一款受歡迎的NVMe SSD，提供出色的性能和可靠性。

　　英特爾（Intel）：英特爾的SSD產(chǎn)品以其高質(zhì)量和高性能著稱。例如，英特爾Optane SSD 905P是一款采用3D XPoint技術(shù)的高性能SSD，提供卓越的讀寫速度和耐久性。

　　美光（Micron）：美光提供多種NAND閃存產(chǎn)品，包括消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)SSD。例如，美光5200系列SSD采用3D NAND技術(shù)，提供高容量和高性能。

　　海力士（SK Hynix）：海力士是另一家全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商，提供多種SSD產(chǎn)品。例如，海力士Gold S31是一款性價(jià)比高的SATA SSD，提供穩(wěn)定的性能和可靠性。

　　考慮成本和性價(jià)比：成本是選型過(guò)程中不可忽視的因素。在滿足性能和容量需求的前提下，選擇性價(jià)比高的產(chǎn)品可以有效控制成本。例如，對(duì)于一般用途的個(gè)人電腦，選擇一款性能良好且價(jià)格合理的SSD可能是最佳選擇。

　　了解應(yīng)用場(chǎng)景和特殊需求：不同的應(yīng)用場(chǎng)景可能對(duì)NAND閃存有不同的特殊需求。例如，工業(yè)控制設(shè)備可能需要更高的溫度范圍和更高的可靠性；物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可能需要低功耗和小尺寸的NAND閃存。

　　參考用戶評(píng)價(jià)和技術(shù)支持：用戶評(píng)價(jià)和技術(shù)支持也是選型的重要參考因素。選擇具有良好用戶評(píng)價(jià)和支持的產(chǎn)品，可以確保在使用過(guò)程中遇到問(wèn)題時(shí)能夠及時(shí)獲得幫助。

　　總結(jié)來(lái)說(shuō)，選擇合適的NAND閃存需要綜合考慮容量、速度、耐久性、成本和應(yīng)用場(chǎng)景等因素，并根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的品牌和型號(hào)。通過(guò)詳細(xì)的市場(chǎng)調(diào)研和技術(shù)評(píng)估，可以選出最適合的NAND閃存產(chǎn)品，滿足設(shè)備和系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求。