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意法半導體MJE3055TNPN功率晶體管中文資料

來源:
2024-07-05
類別:基礎知識
eye 30
文章創建人 拍明芯城

意法半導體 MJE3055T NPN 功率晶體管中文資料

型號類型

MJE3055T 是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一種NPN型功率晶體管。它是中功率、高電流和高壓的代表產品,廣泛應用于各種電子電路中。NPN型晶體管是指其內部結構中具有一個P型半導體層夾在兩個N型半導體層之間,其符號為射極(E)、基極(B)和集電極(C)。這種晶體管以其較高的電流處理能力和較好的熱穩定性而著稱。

MJE3055T圖片

廠商名稱:ST意法半導體

元件分類:三極管

中文描述: 晶體管,NPN,最大直流集電極電流10 A,TO-220封裝,2 MHz,3引腳

英文描述: Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

數據手冊:http://chaochaye.com/data/k02-36635853-MJE3055T.html

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MJE3055T中文參數

晶體管類型NPN最大發射極-基極電壓5 V
最大直流集電極電流0.416666667最大工作頻率2 MHz
最大集電極-發射極電壓60 V引腳數目3
封裝類型TO-220每片芯片元件數目1
安裝類型通孔最大集電極-發射極飽和電壓8 V
最大功率耗散75 W尺寸9.15 x 10.4 x 4.6mm
晶體管配置最高工作溫度+150 °C
最大集電極-基極電壓70 V

MJE3055T概述

MJE3055T是60V硅外延基NPN功率晶體管,用于功率開關電路和通用放大器。快速的開關時間和非常低的飽和電壓可減少開關和傳導損耗。

與MJE2955T互補

良好控制的hFE參數可提高可靠性

應用

工業

MJE3055T引腳圖

image.png

型號命名規則

意法半導體的型號命名規則通常遵循以下原則:

  1. 前綴:表明生產廠家和晶體管類型。例如,"M"表示生產廠家STMicroelectronics,"J"表示為結型晶體管(Junction Transistor),"E"表示其適用于中功率應用。

  2. 數字:代表產品的具體系列號和性能參數。數字“3055”表示這一系列的具體產品型號。

  3. 后綴:表示封裝類型和特定應用。"T"通常表示TO-220封裝。

MJE3055T 具體來說,表示該晶體管屬于MJE系列,具有特定的中功率、高電流處理能力,且封裝為TO-220。

工作原理

NPN型晶體管由三個區域組成:發射極(E)、基極(B)和集電極(C)。工作原理如下:

  1. 基極注入電流:當基極(B)接收到一個小電流時,這個電流在發射極-基極結上產生一個電壓降,使得發射極區的電子能穿越基極區進入集電極區。

  2. 電子流動:這些電子進入集電極后,通過外部電路流向集電極(C),形成一個較大的電流。基極電流(IB)控制著從發射極到集電極的主電流(IC)。

  3. 電流放大作用:由于基極電流相對于集電極電流較小,晶體管具有電流放大作用,其放大倍數稱為電流放大系數(β)。

MJE3055T 在實際工作中,通過調節基極電流,可以精確控制集電極電流,從而實現對負載的控制。這一特性使得MJE3055T在開關電源、音頻放大器和電機驅動等應用中非常有效。

特點

MJE3055T 具有以下幾個顯著特點:

  1. 高電流處理能力:其最大集電極電流(IC)可以達到10A,適合處理大電流負載。

  2. 高耐壓性:集電極-發射極最大電壓(Vceo)為60V,能在較高電壓下穩定工作。

  3. 良好的熱穩定性:由于采用TO-220封裝,具有較好的散熱性能,使其在高功率應用中能夠保持穩定的工作狀態。

  4. 較高的功率處理能力:最大功耗(Ptot)可達75W,適用于高功率應用場合。

  5. 快速開關速度:其開關速度較快,適合高頻開關電路。

應用

MJE3055T 作為一種中功率NPN型晶體管,廣泛應用于各類電子電路中,主要包括以下幾個方面:

  1. 開關電源:在開關電源電路中,MJE3055T可用于控制電流的通斷,提供穩定的電源輸出。

  2. 音頻放大器:作為輸出級的功率放大器,用于提高音頻信號的功率。

  3. 電機驅動:用于驅動直流電機,控制電機的啟停和轉速。

  4. 逆變器電路:在逆變器電路中,用于將直流電轉換為交流電。

  5. 其他大功率開關電路:如電池充電器、穩壓電源等。

參數

MJE3055T的主要電氣參數如下:

  1. 最大集電極電流(IC):10A

  2. 最大集電極-基極電壓(VCBO):70V

  3. 最大集電極-發射極電壓(VCEO):60V

  4. 最大發射極-基極電壓(VEBO):5V

  5. 最大功耗(Ptot):75W

  6. 電流增益(hFE):20至70(IC=4A,VCE=4V時)

  7. 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)):2V(IC=4A,IB=400mA時)

  8. 基極-發射極電壓(VBE(on)):1.5V(IC=4A,VCE=4V時)

  9. 工作溫度范圍:-65°C至+150°C

這些參數表明了MJE3055T在電氣性能上的優越性,使其能夠在各種嚴苛的應用環境中穩定工作。

物理特性

  1. 封裝形式:TO-220,金屬封裝,具有良好的散熱性能。

  2. 引腳配置

    • 引腳1:基極(B)

    • 引腳2:集電極(C)

    • 引腳3:發射極(E)

TO-220封裝使得MJE3055T不僅能有效散熱,還能方便地安裝在散熱器上,從而提升其功率處理能力和可靠性。

總結

意法半導體的MJE3055T是一款高性能的NPN型功率晶體管,憑借其高電流、高耐壓、良好的熱穩定性以及廣泛的應用范圍,在電子電路設計中占據了重要地位。通過了解其工作原理、主要特點和應用領域,可以更好地在實際工程中發揮其優勢,為各種電子設備提供可靠的功率控制和信號放大解決方案。

責任編輯:David

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