原標題：意法半導體與Soitec合作開發碳化硅襯底制造技術

意法半導體（簡稱ST）與Soitec之間的合作開發碳化硅（SiC）襯底制造技術是一項具有戰略意義的合作項目。以下是關于這次合作的詳細概述：

1. 合作背景與目標：

• 意法半導體與Soitec宣布了下一階段的碳化硅（SiC）襯底合作計劃。

• 此次合作的主要目標是意法半導體采用Soitec的SmartSiC技術制造未來的8英寸碳化硅襯底，從而推動公司的碳化硅器件和模塊制造業務，并在中期實現量產。

2. 碳化硅（SiC）襯底的重要性：

• 碳化硅是一種顛覆性的化合物半導體材料，尤其在電動汽車和工業制程領域重要的高增長功率應用中，碳化硅材料的固有性質使得碳化硅器件的性能和能效優于硅基半導體。

• 碳化硅能實現更高效的電源轉換、更緊湊的輕量化設計，并節省整體系統設計成本，這些都是汽車和工業系統成功的關鍵參數和要素。

1. 技術細節與優勢：

• SmartSiC是Soitec的專有技術，基于其專有的SmartCut技術。該技術從高質量碳化硅供體晶圓上切下一個薄層，然后將其粘合到待處理的低電阻多晶硅晶圓片表面。這樣加工后的襯底可有效提高芯片的性能和制造良率。

• 優質的碳化硅供體晶圓可以多次重復使用，因此可以大幅降低供體加工的總能耗。

• 從6英寸晶圓升級到8英寸晶圓，可以使制造集成電路的可用面積增加幾乎一倍，每個晶圓上的有效出片量達到升級前的1.8-1.9倍，從而大幅增加產能。

2. 投資與產能規劃：

• 意法半導體計劃在意大利建造一座價值7.3億歐元（約合人民幣50.28億元）的襯底項目，預計年產超過37萬片，借此實現40%碳化硅襯底的自主供應。

• 這項為期五年的投資將于2026年完成，并得到意大利2.925億歐元的公共資金的支持，作為該國國家恢復和復原計劃的一部分，并獲得歐盟委員會的批準。

3. 市場影響：

• 此次合作標志著碳化硅技術的進一步成熟和廣泛應用，將對電動汽車和工業領域產生深遠影響。

• 碳化硅襯底的大規模生產將促進碳化硅器件的普及和成本的降低，進一步推動電動汽車和工業系統的電氣化進程。

綜上所述，意法半導體與Soitec的合作開發碳化硅襯底制造技術是一項具有深遠影響的項目，將推動碳化硅技術的發展和應用，為電動汽車和工業系統的電氣化進程提供有力支持。