ne5532dr運(yùn)算放大器中文手冊(cè)


NE5532DR運(yùn)算放大器中文概述
NE5532DR是一款高性能、低噪聲雙運(yùn)算放大器,廣泛應(yīng)用于音頻、醫(yī)療、測(cè)試測(cè)量以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。它以其卓越的音質(zhì)表現(xiàn)、低失真和高轉(zhuǎn)換速率而聞名,是許多專(zhuān)業(yè)音頻設(shè)備中的首選組件。本概述將深入探討NE5532DR的關(guān)鍵特性、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、電氣參數(shù)、典型應(yīng)用以及設(shè)計(jì)考慮因素,旨在為工程師和愛(ài)好者提供一份全面且易于理解的參考資料。
1. NE5532DR概述與核心優(yōu)勢(shì)
NE5532DR,作為NE5532系列的一員,通常指的是采用SOIC-8(DR后綴)封裝形式的器件。NE5532系列運(yùn)算放大器由飛利浦(現(xiàn)為恩智浦半導(dǎo)體)最初設(shè)計(jì),并由包括德州儀器(Texas Instruments)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)等在內(nèi)的多家知名半導(dǎo)體公司生產(chǎn)。這款運(yùn)放之所以廣受歡迎,主要?dú)w因于其出色的音頻特性。
核心優(yōu)勢(shì):
低噪聲: NE5532DR具有極低的電壓噪聲和電流噪聲,這對(duì)于高保真音頻應(yīng)用至關(guān)重要,因?yàn)樗苡行p少背景嘶嘶聲和雜音,提供更純凈的音質(zhì)。
高帶寬與高轉(zhuǎn)換速率: 寬廣的增益帶寬積(GBW)和高轉(zhuǎn)換速率(Slew Rate)使得NE5532DR能夠準(zhǔn)確地處理快速變化的信號(hào),確保信號(hào)的完整性和瞬態(tài)響應(yīng)能力。這對(duì)于音頻信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍表現(xiàn)尤為重要。
低失真: 在寬頻率范圍內(nèi)保持極低的諧波失真和互調(diào)失真,確保信號(hào)的原始形態(tài)不被破壞,從而提供高保真的音頻輸出。
高輸出驅(qū)動(dòng)能力: 能夠驅(qū)動(dòng)相對(duì)較低的負(fù)載阻抗,這在驅(qū)動(dòng)耳機(jī)或長(zhǎng)電纜時(shí)非常有用,而不會(huì)出現(xiàn)明顯的性能下降。
雙通道設(shè)計(jì): 單一封裝內(nèi)包含兩個(gè)獨(dú)立的運(yùn)算放大器,這有助于簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、節(jié)省PCB空間和降低成本,尤其適用于立體聲應(yīng)用。
經(jīng)濟(jì)性與易獲取性: 作為一款成熟且廣泛應(yīng)用的器件,NE5532DR的成本效益高,且在市場(chǎng)上易于采購(gòu)。
這些特性使得NE5532DR成為從專(zhuān)業(yè)錄音設(shè)備、混音臺(tái)、音頻接口到高保真音響系統(tǒng)和吉他效果器等各類(lèi)應(yīng)用中的理想選擇。
2. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)與引腳配置
理解NE5532DR的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳配置是正確使用它的基礎(chǔ)。
2.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)概述
NE5532DR內(nèi)部包含兩個(gè)獨(dú)立的、完全相同的運(yùn)算放大器電路。每個(gè)運(yùn)算放大器通常由以下幾個(gè)主要部分組成:
差分輸入級(jí): 這是運(yùn)算放大器的第一級(jí),負(fù)責(zé)接收兩個(gè)輸入信號(hào)(同相輸入和反相輸入)并產(chǎn)生一個(gè)與它們差值成比例的電流或電壓信號(hào)。NE5532DR的輸入級(jí)通常采用差分對(duì)晶體管結(jié)構(gòu),以實(shí)現(xiàn)高共模抑制比(CMRR)和低輸入偏置電流。
中間增益級(jí): 這一級(jí)提供主要的電壓增益。它將差分輸入級(jí)的信號(hào)放大到更高的電平,并通常包含電平轉(zhuǎn)換電路,以確保信號(hào)在后續(xù)級(jí)中能正確處理。
輸出級(jí): 輸出級(jí)旨在提供足夠的電流驅(qū)動(dòng)能力,以驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載。NE5532DR的輸出級(jí)通常是AB類(lèi)推挽結(jié)構(gòu),能夠在保證低失真的同時(shí)提供較高的輸出電流。
偏置電路與補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò): 這些電路負(fù)責(zé)為各級(jí)提供穩(wěn)定的工作點(diǎn),并確保運(yùn)算放大器的穩(wěn)定運(yùn)行,特別是防止自激振蕩。頻率補(bǔ)償是確保在高增益和高頻率下穩(wěn)定性的關(guān)鍵。
2.2 引腳配置 (SOIC-8 封裝)
NE5532DR通常采用標(biāo)準(zhǔn)的8引腳SOIC(Small Outline Integrated Circuit)封裝。其引腳功能如下:
引腳1 (1 OUT): 第一路運(yùn)算放大器的輸出端。
引腳2 (1 IN-): 第一路運(yùn)算放大器的反相輸入端。
引腳3 (1 IN+): 第一路運(yùn)算放大器的同相輸入端。
引腳4 (VEE / GND-): 負(fù)電源輸入端。
引腳5 (2 IN+): 第二路運(yùn)算放大器的同相輸入端。
引腳6 (2 IN-): 第二路運(yùn)算放大器的反相輸入端。
引腳7 (2 OUT): 第二路運(yùn)算放大器的輸出端。
引腳8 (VCC / GND+): 正電源輸入端。
重要提示: 在實(shí)際應(yīng)用中,務(wù)必參考具體制造商的NE5532DR數(shù)據(jù)手冊(cè),因?yàn)椴煌圃焐痰漠a(chǎn)品可能在特定參數(shù)上存在細(xì)微差異,尤其是在最大額定值方面。
3. 電氣特性與關(guān)鍵參數(shù)
NE5532DR的性能通過(guò)一系列電氣特性參數(shù)來(lái)衡量。理解這些參數(shù)對(duì)于正確選擇和應(yīng)用運(yùn)放至關(guān)重要。
3.1 供電電壓 (Supply Voltage)
NE5532DR通常支持±5V至±15V的寬范圍雙電源供電。部分版本可能支持單電源供電,但在單電源應(yīng)用中,通常需要額外的偏置電路來(lái)建立虛擬地。
典型值: ±15V
3.2 輸入特性
輸入偏置電流 (Input Bias Current, IB): 流入或流出運(yùn)放輸入端的電流。NE5532DR的$I_{B}$相對(duì)較低,這有助于減少對(duì)信號(hào)源的負(fù)載效應(yīng)。
典型值: 200 nA (在25°C下)
輸入失調(diào)電壓 (Input Offset Voltage, VOS): 當(dāng)輸入端短路時(shí),為使輸出為零而需要在輸入端施加的電壓。低$V_{OS}$意味著更精確的直流操作。
典型值: 0.5 mV
輸入失調(diào)電流 (Input Offset Current, IOS): 兩個(gè)輸入偏置電流之間的差值。
典型值: 10 nA
共模抑制比 (Common-Mode Rejection Ratio, CMRR): 衡量運(yùn)放抑制共模信號(hào)(同時(shí)出現(xiàn)在兩個(gè)輸入端的信號(hào))的能力。高CMRR意味著更好的噪聲抑制。
典型值: 100 dB
3.3 增益特性
開(kāi)環(huán)增益 (Open-Loop Gain, AOL): 在沒(méi)有負(fù)反饋的情況下,運(yùn)放的固有電壓增益。NE5532DR具有非常高的開(kāi)環(huán)增益。
典型值: 100,000 V/V (100 dB)
增益帶寬積 (Gain Bandwidth Product, GBW): 運(yùn)放增益為1時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率。NE5532DR的GBW較高,表明其在高頻下仍能保持良好的增益特性。
典型值: 10 MHz
3.4 動(dòng)態(tài)特性
轉(zhuǎn)換速率 (Slew Rate, SR): 運(yùn)放輸出電壓的最大變化速率。高SR對(duì)于處理快速變化的信號(hào)(如高頻音頻信號(hào)的瞬態(tài)峰值)至關(guān)重要,以避免信號(hào)失真。
典型值: 9 V/μs (正向和負(fù)向)
總諧波失真加噪聲 (Total Harmonic Distortion + Noise, THD+N): 衡量運(yùn)放輸出信號(hào)的失真和噪聲水平。NE5532DR以其極低的THD+N而著稱(chēng),這正是其在音頻領(lǐng)域受歡迎的原因。
典型值: 0.0002% (在1 kHz,VO = 3V RMS,RL = 600Ω)
3.5 噪聲特性
等效輸入噪聲電壓 (Equivalent Input Noise Voltage, Vn): 衡量運(yùn)放內(nèi)部產(chǎn)生的噪聲,通常以nV/√Hz為單位。這是NE5532DR最重要的特性之一。
典型值: 5 nV/√Hz (在1 kHz)
等效輸入噪聲電流 (Equivalent Input Noise Current, In): 衡量運(yùn)放輸入端產(chǎn)生的噪聲電流。
典型值: 0.7 pA/√Hz (在1 kHz)
3.6 輸出特性
輸出電壓擺幅 (Output Voltage Swing): 運(yùn)放輸出端在給定負(fù)載下能達(dá)到的最大正負(fù)電壓范圍。通常略小于供電電壓。
輸出電流 (Output Current): 運(yùn)放能向負(fù)載提供的最大電流。
典型值: 38 mA
3.7 功耗 (Power Consumption)
運(yùn)放工作時(shí)消耗的功率。NE5532DR的功耗相對(duì)適中。
重要提示: 所有參數(shù)都應(yīng)參考具體制造商的官方數(shù)據(jù)手冊(cè),并且許多參數(shù)會(huì)受到溫度、供電電壓和負(fù)載條件等因素的影響。
4. 典型應(yīng)用電路
NE5532DR作為通用型高性能運(yùn)放,可以應(yīng)用于各種基本和復(fù)雜的電路配置中。以下是一些NE5532DR的典型應(yīng)用電路示例:
4.1 反相放大器 (Inverting Amplifier)
反相放大器是最基本的運(yùn)放配置之一,其輸出信號(hào)與輸入信號(hào)相位相反。增益由外部電阻決定。
電路描述: 信號(hào)通過(guò)輸入電阻$R_{IN}施加到反相輸入端,反饋電阻R_{F}$連接在輸出端和反相輸入端之間。同相輸入端接地(或連接到參考電壓)。
增益 (AV): AV=?RF/RIN特點(diǎn): 輸入阻抗由$R_{IN}$決定,輸出阻抗低。常用于信號(hào)衰減或小信號(hào)放大。
4.2 同相放大器 (Non-Inverting Amplifier)
同相放大器的輸出信號(hào)與輸入信號(hào)同相。
電路描述: 信號(hào)施加到同相輸入端。反相輸入端通過(guò)反饋電阻$R_{F}連接到輸出端,同時(shí)通過(guò)另一個(gè)電阻R_{G}$連接到地。
增益 (AV): AV=1+(RF/RG)
特點(diǎn): 輸入阻抗極高(由運(yùn)放本身決定),輸出阻抗低。常用于緩沖器或高輸入阻抗的信號(hào)放大。
4.3 電壓跟隨器 (Voltage Follower / Buffer)
電壓跟隨器是同相放大器的一種特殊形式,增益為1。
電路描述: 輸出端直接連接到反相輸入端,同相輸入端連接到輸入信號(hào)。
增益 (AV): AV=1
特點(diǎn): 提供高輸入阻抗和低輸出阻抗,用于信號(hào)隔離和阻抗匹配,防止信號(hào)源被后續(xù)電路加載。
4.4 有源低通/高通濾波器 (Active Low-Pass/High-Pass Filter)
NE5532DR可以用于構(gòu)建各種有源濾波器,例如Sallen-Key濾波器。這些濾波器使用電容和電阻以及運(yùn)放來(lái)提供精確的頻率響應(yīng),而無(wú)需使用大型電感。
低通濾波器: 允許低于截止頻率的信號(hào)通過(guò),衰減高于截止頻率的信號(hào)。
高通濾波器: 允許高于截止頻率的信號(hào)通過(guò),衰減低于截止頻率的信號(hào)。
特點(diǎn): 相比無(wú)源濾波器,有源濾波器通常具有更高的增益、更低的輸出阻抗,并且更容易實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的濾波器特性。NE5532DR的低噪聲和高帶寬使其非常適合音頻濾波器。
4.5 音頻前置放大器 (Audio Preamplifier)
NE5532DR是構(gòu)建高質(zhì)量音頻前置放大器的理想選擇,用于放大來(lái)自麥克風(fēng)、唱機(jī)或其他低電平音頻源的信號(hào)。
電路描述: 通常采用同相或反相配置,配合適當(dāng)?shù)脑鲆嬖O(shè)置和輸入/輸出耦合電容。為了最佳的噪聲性能,輸入級(jí)的電阻值通常需要仔細(xì)選擇。
特點(diǎn): 利用NE5532DR的低噪聲和低失真特性,確保在放大過(guò)程中引入最小的噪聲和失真。
4.6 線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)器 (Line Driver)
用于驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)電纜或低阻抗負(fù)載,以確保信號(hào)在傳輸過(guò)程中保持其完整性。
電路描述: 通常配置為電壓跟隨器或低增益放大器,其輸出直接驅(qū)動(dòng)電纜。
特點(diǎn): 利用NE5532DR的高輸出驅(qū)動(dòng)能力,克服電纜的容性和阻性負(fù)載效應(yīng)。
4.7 耳機(jī)放大器 (Headphone Amplifier)
NE5532DR能夠?yàn)榇蠖鄶?shù)高阻抗耳機(jī)提供足夠的驅(qū)動(dòng)能力。對(duì)于低阻抗耳機(jī),可能需要額外的電流緩沖級(jí)。
電路描述: 通常采用非反相配置,配合合適的增益和輸出耦合電容。
特點(diǎn): 提供清晰、有力的音頻輸出,利用NE5532DR的低失真和高轉(zhuǎn)換速率。
4.8 麥克風(fēng)放大器 (Microphone Amplifier)
對(duì)于需要放大低電平麥克風(fēng)信號(hào)的應(yīng)用,NE5532DR的低噪聲特性尤為重要。
電路描述: 通常采用差分輸入或單端輸入配置,并可能包括幻象電源供電電路(如果需要)。
特點(diǎn): 最小化本底噪聲,確保捕捉到微弱的麥克風(fēng)信號(hào)細(xì)節(jié)。
5. 設(shè)計(jì)考慮因素與最佳實(shí)踐
在使用NE5532DR進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),遵循一些最佳實(shí)踐可以最大限度地發(fā)揮其性能并確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。
5.1 電源去耦與濾波
必要性: 良好的電源去耦是任何高性能模擬電路的關(guān)鍵。運(yùn)放的性能對(duì)電源噪聲非常敏感。
實(shí)踐: 在NE5532DR的電源引腳(VCC和VEE)附近放置至少一對(duì)陶瓷電容(例如0.1 μF或100 nF)。這些電容應(yīng)盡可能靠近芯片引腳,以最短的走線(xiàn)連接。
額外措施: 如果電源線(xiàn)較長(zhǎng)或存在大量高頻噪聲,可以在陶瓷電容旁邊串聯(lián)一個(gè)較大容量的電解電容(例如10 μF到100 μF),以濾除低頻噪聲。
5.2 接地策略
星形接地或單點(diǎn)接地: 對(duì)于敏感的模擬電路,建議采用星形接地或單點(diǎn)接地策略,即將所有信號(hào)地線(xiàn)匯聚到一點(diǎn),以避免地環(huán)路噪聲。
避免地環(huán)路: 避免在PCB布局中形成大的地環(huán)路,這會(huì)增加對(duì)電磁干擾(EMI)的敏感性。
數(shù)字地與模擬地分離: 在混合信號(hào)電路中,應(yīng)將數(shù)字地和模擬地分開(kāi),并通過(guò)單一點(diǎn)連接(或通過(guò)磁珠/電感連接),以防止數(shù)字噪聲耦合到模擬部分。
5.3 輸入/輸出保護(hù)
輸入限流電阻: 在運(yùn)放的輸入端串聯(lián)小電阻(例如100 Ω),可以限制在ESD事件或輸入過(guò)壓情況下的電流,從而保護(hù)運(yùn)放輸入級(jí)。
鉗位二極管: 在輸入端并聯(lián)肖特基二極管到電源軌,可以在輸入電壓超出電源軌時(shí)提供保護(hù),將輸入電壓鉗位在安全范圍內(nèi)。
輸出短路保護(hù): NE5532DR通常內(nèi)置輸出短路保護(hù),但這并不意味著可以長(zhǎng)時(shí)間短路輸出。在某些高電流應(yīng)用中,可能需要外部電流限制電路。
5.4 阻抗匹配與信號(hào)完整性
輸入阻抗: 對(duì)于低噪聲應(yīng)用,輸入信號(hào)源的阻抗應(yīng)與運(yùn)放的噪聲特性相匹配。NE5532DR是電壓噪聲占主導(dǎo)的運(yùn)放,因此更適合驅(qū)動(dòng)低到中等阻抗的信號(hào)源。
走線(xiàn)長(zhǎng)度與寄生電容: 保持高頻信號(hào)走線(xiàn)盡可能短,以減少寄生電容和電感,這可能導(dǎo)致高頻響應(yīng)下降或振蕩。
反饋回路穩(wěn)定性: 對(duì)于閉環(huán)增益較高的應(yīng)用,需要特別注意反饋回路的穩(wěn)定性。可能需要額外的RC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)來(lái)防止振蕩。
5.5 散熱考慮
功耗: 盡管NE5532DR的功耗相對(duì)較低,但在驅(qū)動(dòng)低阻抗負(fù)載或工作在較高電源電壓下時(shí),仍可能產(chǎn)生可觀的熱量。
PCB布局: 確保PCB布局提供足夠的散熱面積,例如使用較寬的電源和地平面,這有助于散發(fā)熱量。
環(huán)境溫度: 考慮器件工作環(huán)境的最高溫度,確保其在安全工作溫度范圍內(nèi)。
5.6 避免自激振蕩
高頻振蕩: 運(yùn)放容易在高頻下發(fā)生自激振蕩,特別是在高增益配置下或存在寄生電容/電感時(shí)。
補(bǔ)償措施: * 在反饋回路中添加小電容(幾pF到幾十pF)來(lái)形成主極點(diǎn)補(bǔ)償。
在輸出端串聯(lián)小電阻(幾十歐姆)和并聯(lián)小電容(幾十pF),形成Zobel網(wǎng)絡(luò)或隔離網(wǎng)絡(luò),以提高容性負(fù)載的穩(wěn)定性。
確保PCB走線(xiàn)布局緊湊,減少寄生效應(yīng)。
5.7 輸入偏置電流補(bǔ)償 (對(duì)于某些直流應(yīng)用)
直流失調(diào): 雖然NE5532DR的輸入偏置電流相對(duì)較低,但在非常高的反饋電阻值(例如幾兆歐)下,輸入偏置電流流過(guò)這些電阻會(huì)產(chǎn)生直流失調(diào)電壓。
補(bǔ)償方法: 可以在同相輸入端(如果反相端有反饋電阻)串聯(lián)一個(gè)與反相輸入端等效電阻相同的電阻,以平衡偏置電流在兩個(gè)輸入端產(chǎn)生的壓降。
6. NE5532DR與同類(lèi)運(yùn)放比較
NE5532DR的成功也促使了其他類(lèi)似性能的運(yùn)放的出現(xiàn)。了解NE5532DR在市場(chǎng)上的定位及其與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的比較有助于選擇最合適的器件。
6.1 NE5532DR vs. TL072/TL082
TL072/TL082: 這是JFET輸入運(yùn)放,以其極低的輸入偏置電流而聞名,非常適合高阻抗信號(hào)源。
NE5532DR優(yōu)勢(shì): NE5532DR在噪聲性能(特別是電壓噪聲)、輸出驅(qū)動(dòng)能力和失真方面通常優(yōu)于TL072/TL082。對(duì)于音頻應(yīng)用,NE5532DR通常是更好的選擇。
TL072/TL082優(yōu)勢(shì): 對(duì)于需要極高輸入阻抗和低輸入偏置電流的傳感器接口等應(yīng)用,TL072/TL082可能更合適。
6.2 NE5532DR vs. OPA2134/OPA2604
OPA2134/OPA2604: 這兩款(通常是Burr-Brown,現(xiàn)為T(mén)I產(chǎn)品)都是高性能音頻運(yùn)放,被廣泛認(rèn)為是NE5532DR的升級(jí)版。它們通常具有更低的噪聲、更低的失真和更高的轉(zhuǎn)換速率。
NE5532DR優(yōu)勢(shì): 成本效益更高,且在許多應(yīng)用中已經(jīng)足夠優(yōu)秀。其性能對(duì)于大部分非頂級(jí)Hi-Fi應(yīng)用來(lái)說(shuō)已經(jīng)綽綽有余。
OPA2134/OPA2604優(yōu)勢(shì): 在追求極致音質(zhì)和性能的Hi-End音頻設(shè)備中,OPA2134和OPA2604通常是更好的選擇,但價(jià)格也相對(duì)更高。
6.3 NE5532DR vs. JRC4580/JRC4560
JRC4580/JRC4560: 這些是日本無(wú)線(xiàn)電公司(JRC)生產(chǎn)的通用型雙運(yùn)放,在許多低成本音頻設(shè)備中廣泛使用。
NE5532DR優(yōu)勢(shì): NE5532DR通常在噪聲、失真和帶寬方面表現(xiàn)更優(yōu),尤其是在對(duì)音質(zhì)有較高要求的應(yīng)用中。
JRC4580/JRC4560優(yōu)勢(shì): 價(jià)格更低廉,且在許多對(duì)性能要求不那么嚴(yán)格的消費(fèi)級(jí)音頻產(chǎn)品中表現(xiàn)良好。
通過(guò)比較可以看出,NE5532DR在性能和成本之間找到了一個(gè)很好的平衡點(diǎn),使其在專(zhuān)業(yè)和消費(fèi)級(jí)音頻市場(chǎng)中占據(jù)了重要地位。對(duì)于許多設(shè)計(jì)而言,NE5532DR提供的性能已經(jīng)非常出色,只有在追求極致性能時(shí)才需要考慮更高價(jià)位的替代品。
7. 總結(jié)與展望
NE5532DR運(yùn)算放大器憑借其卓越的低噪聲、低失真和高輸出驅(qū)動(dòng)能力,長(zhǎng)期以來(lái)一直是音頻和精密模擬電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的基石。它不僅提供了出色的電氣性能,而且在成本效益和易獲取性方面也極具優(yōu)勢(shì),使其成為從入門(mén)級(jí)項(xiàng)目到專(zhuān)業(yè)級(jí)設(shè)備中不可或缺的組成部分。
從基本的信號(hào)放大到復(fù)雜的有源濾波、耳機(jī)驅(qū)動(dòng)和線(xiàn)路驅(qū)動(dòng),NE5532DR都能勝任,并在各種應(yīng)用中提供穩(wěn)定可靠的性能。雖然市場(chǎng)上不斷涌現(xiàn)出更新、性能更優(yōu)越的運(yùn)算放大器,但NE5532DR憑借其經(jīng)典的設(shè)計(jì)和久經(jīng)考驗(yàn)的可靠性,依然保持著其獨(dú)特的價(jià)值和廣泛的應(yīng)用。
對(duì)于任何希望在音頻或精密模擬設(shè)計(jì)中獲得良好性能而又不至于預(yù)算過(guò)高的工程師或愛(ài)好者來(lái)說(shuō),NE5532DR無(wú)疑是一個(gè)極佳的選擇。通過(guò)對(duì)電源去耦、接地、信號(hào)完整性和穩(wěn)定性等設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)的關(guān)注,可以最大限度地發(fā)揮NE5532DR的潛力,構(gòu)建出高質(zhì)量的電子產(chǎn)品。未來(lái),NE5532DR仍將在各類(lèi)應(yīng)用中發(fā)揮重要作用,并繼續(xù)成為許多工程師的首選。
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責(zé)任編輯:David
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